2019年3月26日，周二下午4点, 来自美国乔治亚理工大学的余诗孟教授远道而来，赴中科大微电子学院北区会议中心（融合楼2楼），为学院的师生们作了题为Neuro-Inspired Computing with Synaptic and Neuronal Devices的学术报告。此次报告是为研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院的孙海定教授主持。

    孙海定教授首先对余教授做了简短的介绍，让大家对余教授的学术科研经历和主要工作内容有了基本的了解。余诗孟教授于2009年获得北京大学微电子学学士学位，于 2011年和2013年获得美国斯坦福大学电气工程硕士和博士学位。他目前是美国乔治亚理工大学电气工程与计算机工程系的AssociateProfessor。

    余教授主要研究新兴的纳米器件和电路设计，研究范围包括机器/深度学习，神经形态计算，三维芯片集成，硬件安全，器件和电路抗辐射性能等。他的课题组在这些领域发表了超过60篇期刊论文和100篇会议论文，包括20余篇IEEE国际电子器件会议（IEDM）以及最近接受的IEEE固态电路会议（ISSCC）。

  介绍完毕后，在座的师生们对余教授有了初步的认识，报告会正式开始。报告主要介绍了用于类脑计算的神经元器件的基本原理和常见结构，以及余教授课题组的主要工作和重要进展。类脑计算是一个新时代的概念，它可以用于模拟神经网络的信息处理。为了实现大规模的神经网络系统，研究开发紧凑的纳米级器件来实现突触和神经元的功能就显得极为重要。报告首先介绍了新兴非易失性存储器(eNVM)的概念，并列举了相关研究实例，分析了该类存储器原型芯片的发展趋势。在大家兴趣盎然之时，余教授正式开始讲解神经突触器件以及神经网络算法，报告会已经逐渐切入正题。

  在阐明了多阻态器件的基本原理和发展历程之后，余教授向大家叙述了offline-training 与 online-training 的概念差异以及不同的适用情况，辅以有说服力的论文文献材料，图文并茂。接着，余教授主讲近年来自己和其他业内专家的科研进展，为大家呈现了几种典型的器件结构和阵列，例如ADC神经元电路、阈值开关振荡电路以及铁电质晶体管等等。在向大家展示了其中若干器件的电学表征曲线以及适用于神经元计算的特征性能对比之后，余教授的报告进入了尾声，他为大家作了简短的总结，并对神经突触器件进行了积极乐观的展望。

                    图为微电子学院的师生正在听讲，以及作报告的余诗孟教授

报告结束后，余教授与在座的师生们进行了二十分钟的答疑以及交流讨论环节。老师同学们的气氛甚是活跃，很多同学都有自己的想法和疑问，余教授也乐于耐心解答，并传授了自己的经验，细致而充分的交流又拓宽了师生们的知识触面和学术眼界。

最后，余教授与部分师生合影，为这次的高水平学术报告一个画上了完美的句号。

结语: 研究生高水平学术前沿讲座会不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。