11月25日，由ISSCC远东区委员会主办、中国科大国家示范性微电子学院承办的“芯片奥林匹克”IEEE 国际固态电路会议ISSCC 2025 中国区发布会顺利举行，中国科大党委常委、副校长吴枫出席会议并致辞，ISSCC国际技术委员会远东区主席Prof. Jaehyouk Choi，安徽省高新投公司副总经理、中安创谷公司董事长王芳，合肥高新区半导体投资促进中心主任刘绪勇，中国科大微电子学院党总支书记朱云浩，ISSCC国际技术委员会委员以及来自全国各地高...

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   近日，我院左成杰教授课题组一篇射频集成电路（RFIC）设计论文入选2024年第九届集成电路与微系统国际会议（The 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, ICICM）。ICICM 2024于10月25日至27日在湖北武汉举办。该研究成果获得了ICICM 2024的最佳论文奖以及最佳报告奖。  随着物联网（IoT）技术的发展，对超低功耗（ULP）无线传感器网络（WSN）的需求逐渐增加。事件驱动型唤...

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  近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS, VGS)”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Transactions on Power Electronics。  GaN HEMT具备高开关频率、低...

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       近日，图书馆VIP微电子学院胡芹特任研究员课题组在钙钛矿软X射线探测器研究中取得新进展。团队基于钙钛矿半导体薄膜缺陷调控和PIN垂直型器件结构设计策略，实现了目前钙钛矿软X射线探测器中的最高量子效率。相关成果以“Flexible Soft X-Ray Image Sensors based on Metal Halide Perovskites With High Quantum Efficiency”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》上，并被选为卷首插图...

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 近日，图书馆VIP微电子学院特任教授孙海定iGaN Lab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分辨率、高集成度、低...

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  近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modulation”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics。  垂直型GaN功率电...

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  近日，图书馆VIP微电子学院龙世兵教授和高南特任研究员团队在自旋神经形态器件研究中取得新进展。研究团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发了具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示其了在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果以“An Antiferromagnetic Neuromorphic Memory Based on Perpendicularly Magnetized CoO”为题，近期发表在国际知名学术期刊《Nano Letters》上，并被选为封...

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  近日，我院孙海定教授和左成杰教授课题组在光电神经突触器件领域取得重要进展。受四色视觉系统的启发，研究团队报告了一种塑性可调控的宽光谱四色神经形态视觉突触器件。这种器件基于二维过渡金属硫族化合物和块状体材氮化镓（GaN）垂直堆叠而成的双通道浮栅晶体管架构，在电和光刺激的协同作用下，该器件成功地模拟了四色突触的基本行为。该成果以“Broadband Artificial Tetrachromatic Synaptic Devices Composed of 2D/...

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近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积 (ALD) 制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对 high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍 DRAM 技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质 k 值，同时降低了漏电。相关成果以“Oxidizer Engineering ...

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  近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN Lab课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在仿生光电神经感知器件的前沿研究中取得了重要进展。研究团队成功开发了以第三代半导体氮化镓（GaN）为核心材料的光电神经突触器件，实现了具有化学调控的神经形态功能。该器件首次提出利用光电化学器件架构，结合传统半导体构筑新型半导体/电解质异质界面，并逼真模拟了生物体中的复杂视觉行为。该成果以“Optoelectronic synapses with c...

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