近日，我院高南特任研究员课题组在自旋神经形态器件中取得新进展，提出并验证了基于自旋轨道力矩器件，可以实现对柔性可穿戴传感信号的高效片上处理。该成果以“Flexible Spintronic Neuromorphic Devices for Sensing Signal Processing”为题，近期发表在国际学术期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》上。 柔性电子器件凭借其形态自由、适应性强、轻便、低成本等优势，打破了传统硬质微电子器件在形态上...
了解详情近日，我院石媛媛教授团队在类脑智能神经形态器件领域取得新进展。研究团队创新性地研制出具有双弛豫时间尺度特性的电解质栅WSe2薄膜晶体管用于物理储备池计算，成功解决了传统动态忆阻器在时序信号处理中时间特征尺度单一的瓶颈问题。相关成果以" Dynamic Monolayer WSe2 Electrolyte-Gated Transistor with Coexistent Double Relaxation Timescale for Enhanced Physical Reservoir Computing"为题发表于...
了解详情2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits（VLSI技术与电路国际研讨会）于6月8日至12日在日本京都召开。我院程林教授课题组论文“A 16-24V to 1-1.8V 1.187W/mm3-Power-Density Hybrid DC-DC Converter Featuring Inductor Current in Σ-Fibonacci Region for Unmanned Aerial Vehicle Applications”与胡诣哲教授课题组论文“A 0.184 mm2 W-band Single-RTWO-Based Subharmonic RX Achieving 3.72 dB-NF and ...
了解详情随着人工智能（AI）与6G时代的加速到来，超高速有线互联与毫米波无线互联技术变得日益重要。其中，极低抖动整数分频（Interger-N）与小数分频（Fractional-N）锁相环芯片扮演关键核心角色。 近日，我校微电子学院胡诣哲教授课题组在该领域研究取得重要突破，基于全新的“电荷舵采样技术”（Charge-Steering Sampling，见图1），分别提出了电荷域整数型和小数型高性能全数字锁相环架构，成功实现了最低约60飞秒（fs）...
了解详情瑞利波（Rayleigh Wave）是声表面波（SAW）的一种形态，其沿着固体的表面传播。1885年，英国物理学家John William Strutt（瑞利勋爵，1904年诺贝尔物理学奖获得者）首次在数学上预测了瑞利波的存在，于是该种振型的声表面波被命名为瑞利波。瑞利波所表现出来的质点位移，可以被分解并等效为一个垂直剪切波（SV波）和一个纵波（L波）的耦合叠加。瑞利波在地球物理学（地震学）、超声无损探测、电子器件等领域多有研究与应用...
了解详情2025年3月29日，我院李鹏教授主持的国家重点研发计划新型显示与战略性电子材料重点专项“高性能空间智能计算关键拓扑材料及自旋轨道矩电子器件研究”项目启动会暨实施方案论证会顺利举行。中国科大党委常委、副校长吴枫出席会议并致辞。中国科大科研部重大任务处处长刘静等项目依托单位成员，中国电科集团电子科学研究院书记武祥、华中科技大学集成电路学院副院长刘欢等项目专家组成员，中科院合肥物质...
了解详情近日，我院龙世兵和胡芹团队在日盲紫外光电探测研究中取得新进展。针对氧化镓光电探测器中存在的响应度和响应速度相互制约的问题，该课题组从理论和仿真分析入手，创新性地提出了一种基于氧化镓双层薄膜结构的高性能光电探测器设计策略。该结构可以通过调控器件内部电场分布和光生载流子提取路径来缓解响应度和响应速度间的互相制约。基于此设计，该工作成功构建了同时具备高响应度和快响应速度的氧化镓日盲紫外光电探测器...
了解详情近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Vertical GaN PiN Diode Under Proton Irradiation: Impact on Conductivity Modulation”为题发表于电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters。 因开关频率高、位移阈能高等优势，GaN功率电子器件可在宇宙空...
了解详情近日，中国科大微电子学院程林教授课题组联合澳门大学罗文基教授团队，在超低温量子接口基准电路研究中取得重要进展。该研究首次提出了无需修调的超低温低功耗CMOS电压基准，能够同时实现温度和工艺的自补偿。相关研究成果以“A 76.9 ppm/K Nano-Watt PVT-insensitive CMOS Voltage Reference Operating from 4 K to 300 K for Integrated Cryogenic Quantum Interface”为题在2025年固态电路领域著名学术期刊Journal of So...
了解详情近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的四款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域著名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2025于今年2月16日至20日在美国旧金山举行。 该课题组的潘东方特任研究员以及靳吉、尚铭皓和黄琪...
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