近日，我院龙世兵和胡芹团队在日盲紫外光电探测研究中取得新进展。针对氧化镓光电探测器中存在的响应度和响应速度相互制约的问题，该课题组从理论和仿真分析入手，创新性地提出了一种基于氧化镓双层薄膜结构的高性能光电探测器设计策略。该结构可以通过调控器件内部电场分布和光生载流子提取路径来缓解响应度和响应速度间的互相制约。基于此设计，该工作成功构建了同时具备高响应度和快响应速度的氧化镓日盲紫外光电探测器...

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  近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Vertical GaN PiN Diode Under Proton Irradiation: Impact on Conductivity Modulation”为题发表于电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters。  因开关频率高、位移阈能高等优势，GaN功率电子器件可在宇宙空...

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  近日，中国科大微电子学院程林教授课题组联合澳门大学罗文基教授团队，在超低温量子接口基准电路研究中取得重要进展。该研究首次提出了无需修调的超低温低功耗CMOS电压基准，能够同时实现温度和工艺的自补偿。相关研究成果以“A 76.9 ppm/K Nano-Watt PVT-insensitive CMOS Voltage Reference Operating from 4 K to 300 K for Integrated Cryogenic Quantum Interface”为题在2025年固态电路领域著名学术期刊Journal of So...

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       近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的四款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域著名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2025于今年2月16日至20日在美国旧金山举行。  该课题组的潘东方特任研究员以及靳吉、尚铭皓和黄琪...

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  近日，我院胡芹特任研究员课题组与合肥光源催化与表面科学线站的科学家合作，在无铅钙钛矿光伏器件研究中取得重要进展。研究团队不仅成功利用光诱导界面掺杂调控策略有效提升了锡基光伏器件的效率和稳定性，还通过设计独特的基于同步辐射X射线光电子能谱技术的原位光照实验装置，深度剖析了光诱导界面掺杂调制的物理机制。光电子能谱原位测试分析表明，光诱导界面掺杂的存在能够改善锡基钙钛矿能带匹配，促进载流子的分离和...

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   近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN实验室联合合肥微尺度物质科学国家研究中心熊宇杰教授团队和武汉大学刘胜院士团队，在光电化学制氢领域取得重要进展。研究团队通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时（首次将光电极寿命从“小时级”（<100小时）推进至“月级”），成功突破了传统光电制氢装置在效率和...

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近日，我院高南特任研究员课题组在磁存储器研究中取得新进展，提出采用双轴体系构建器件，实现自旋轨道力矩磁存储器件的本征高效率无外场写入。该成果以“Intrinsic Solution to the Dilemma between High-Efficiency and External-Field-Free Spin–Orbit Torque Switching Based on Biaxial Devices”为题，近期发表在国际学术期刊《Nano Letters》上。磁随机存储器(MRAM)具有本征的非易失和近无限擦写特性，是后摩尔时代重要的新...

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  近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导...

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   近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament, CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity, Linearity, and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2–xOx Based Analog RRAM via S-Vacancy Confined Nanofilament”为题发表在知名学术...

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 近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)上做口头报告。IEDM是电子器件领域的国际知名会议，本届会议于2024年12月...

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